IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUT300N08S5N012ATMA2 بواسطة Infineon و IAUT300N08S5N011ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUT300N08S5N012ATMA2 | IAUT300N08S5N011ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C |
| العلبة | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 410 A (Tj) |
| R_DS(on) max | — | 1.10 mOhm at V_GS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 231 nC at V_GS=10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 16.25 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 2.6 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 130 pF |
| Power Dissipation (P_D) | — | 375 W at T_C=25C |
| Qualification | — | Automotive (AEC-Q101) |