IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUTN04S7N004ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N015GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUTN04S7N004ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.38 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| العلبة | PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |