IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUTN04S7N004ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7N015GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUTN04S7N004ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.38 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |