IMLT65R040M2HXTMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IMLT65R040M2HXTMA1 بواسطة Infineon و IPW60R037P7XKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IMLT65R040M2HXTMA1 IPW60R037P7XKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) —
Technology Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 57 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 143 A —
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) 40 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) 49 mΩ —
Total Gate Charge QG 28 nC —
Output Charge QOSS @ 400 V 53 nC —
Output Energy EOSS @ 400 V 7.2 µJ —
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) 268 W —
Recommended Gate Drive Voltage VGS 18 V (turn-off: 0 V or negative) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
العلبة PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
Qualification JEDEC industrial —
Packaging Tape & Reel —
Special Features Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized —
Series — CoolMOS™ P7
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
حالة RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر