IMLT65R040M2HXTMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IMLT65R040M2HXTMA1 توسط Infineon و IPW60R037P7XKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IMLT65R040M2HXTMA1 IPW60R037P7XKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) —
Technology Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 57 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 143 A —
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) 40 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) 49 mΩ —
Total Gate Charge QG 28 nC —
Output Charge QOSS @ 400 V 53 nC —
Output Energy EOSS @ 400 V 7.2 µJ —
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) 268 W —
Recommended Gate Drive Voltage VGS 18 V (turn-off: 0 V or negative) —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Qualification JEDEC industrial —
Packaging Tape & Reel —
Special Features Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized —
Series — CoolMOS™ P7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
وضعیت RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت