IPB072N15N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB072N15N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB020NE7N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB072N15N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر