IPB072N15N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB072N15N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB020NE7N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS

IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS

IPB020NE7N3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB072N15N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
প্যাকেজ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট