IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD30N10S3L34ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD30N06S2L13ATMA4 بواسطة Infineon و IPD30N10S3L34ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD30N06S2L13ATMA4 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 136 W (Tc) | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Package) | — |
| Avalanche Tested | 100 % production-tested | — |
| Technology | Planar (OptiMOS) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] | — |
| Diode Reverse Recovery (trr) | [DATA_NEEDED: trr typ] | — |
| عدد الأطراف | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (T&R per IEC 60286-3) | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +175°C |
| مستوى MSL | — | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |