IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD35N10S3L26ATMA2 بواسطة Infineon و IPD30N10S3L34ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| عدد الأطراف | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | OptiMOS-T (trench) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |