IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD50R380CEAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R210PFD7SAUMA1 بواسطة Infineon و IPD50R380CEAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD50R380CEAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET CoolMOS CE (super-junction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
نوع التركيب Surface Mount (SMT) Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 500 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 14.1 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 380 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 98 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
العلبة — PG-TO252-3 (DPAK)
حالة RoHS — Compliant
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر