IPG20N10S4L22AATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N10S4L22AATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S5L1R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPG20N10S4L22AATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS T2 | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-5 40 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| مستوى MSL | — | MSL1 (260C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% |