IPG20N10S4L22AATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N10S4L22AATMA1 بواسطة Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPG20N10S4L22AATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type Dual N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 20 A —
On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 22 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 60 W —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Lead Configuration Wettable Flank —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS T2 —
درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C —
حالة RoHS Compliant —
Channel Count 2 (dual independent) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر