IPL60R065P7AUMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R065P7AUMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N04S6N028ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 ✓ نشط
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R065P7AUMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology Family CoolMOS™ P7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 41 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 65 mΩ (max) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 201 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 3.5 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) 2895 pF —
Rise Time (t<sub>r</sub>) 7 ns —
Fall Time (t<sub>f</sub>) 4 ns —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) -55 °C to +175 °C
العلبة PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
عدد الدبابيس 4 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Polarity Single N-channel —
Drain to Source Voltage 650 V (rating per AiEMA spec) —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) 0.053 Ω —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Series — OptiMOS 6 40V
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر