IPP075N15N3GXKSA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP075N15N3GXKSA1 بواسطة Infineon و BSC190N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP075N15N3GXKSA1 BSC190N15NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
العلبة PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر