IPT067N20NM6ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT067N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPT067N20NM6ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +175C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 5
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration Single N-channel —
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
عدد الأطراف — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر