IQD005N04NM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQD005N04NM6CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE036N08NM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQD005N04NM6CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 6 (trench FET) | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) Typical | 0.5 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 610 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 333 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| العلبة | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 9 | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Source Configuration | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |