IQD063N15NM5SCATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQD063N15NM5SCATMA1 بواسطة Infineon و ISC037N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IQD063N15NM5SCATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 151 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 14.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 5.1 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.32 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 V (max) —
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V 48 nC —
Input Capacitance (Ciss) 3.6 nF —
Output Capacitance (Coss) 900 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 333 W —
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C 3 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C -55C to +175C (junction)
العلبة PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology — OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر