IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQD020N10NM5CGSCATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH35N03LM5SCATMA1 بواسطة Infineon و IQD020N10NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ نشط
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon

IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQDH35N03LM5SCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
العلبة PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
مستوى MSL 1 (unlimited) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Product Family — OptiMOS 5 100V (IQD series)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 276 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 26 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 2.0 mOhm at VGS = 10 V
On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing — 1.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.8 V
Gate Charge (Qg, total) — 107 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 7.3 nF
Output Capacitance (Coss) — 1 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 42 pF
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Gate Drive Level — Logic-level (10 V VGS rated)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر