IQE008N03LM5CGATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE008N03LM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE050N08NM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IQE008N03LM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 253 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.85 mOhm (typ) @ 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 64 nC (typ) —
Input Capacitance (Ciss) at VDS=15V 5700 pF (typ) —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss typical] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 89 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
العلبة PG-TTFN-9-1 (8-PowerTDFN) with wettable flanks PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (compliant per Infineon product page) —
AEC-Q100 Automotive [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Technology — OptiMOS 5 (Source-Down)
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر