IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE220N15NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE036N08NM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 6 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Status | — | Active |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |