IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH54NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon و IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
العلبة PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (typical MOSFET range) -55 degrees C to +175 degrees C
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Technology — OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر