IR2010STRPBF vs IR2110SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2010STRPBF بواسطة Infineon و IR2110SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2010STRPBF IR2110SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IR2010STRPBF —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
عدد المخارج 2 (independent high and low side) —
Peak Output Current (Source/Sink) 3 A / 3 A —
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) Up to 200 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V logic compatible 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (Typical) 95 ns —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on switch node) —
Bootstrap Capable Yes (floating channel) —
العلبة 16-SOIC (DW, 0.300 inch, 7.50 mm body width) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Shipping Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity Non-Inverting —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix indicates lead-free) —
الوظيفة — Half-bridge gate driver
البنية الطوبولوجية — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر