IR2010STRPBF vs IR2110SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2010STRPBF מאת Infineon ו IR2110SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2010STRPBF IR2110SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IR2010STRPBF —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
מספר יציאות 2 (independent high and low side) —
Peak Output Current (Source/Sink) 3 A / 3 A —
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) Up to 200 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V logic compatible 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (Typical) 95 ns —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on switch node) —
Bootstrap Capable Yes (floating channel) —
מארז 16-SOIC (DW, 0.300 inch, 7.50 mm body width) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Shipping Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity Non-Inverting —
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix indicates lead-free) —
פונקציה — Half-bridge gate driver
טופולוגיה — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר