IR2101STRPBF vs IRS21091STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2101STRPBF بواسطة Infineon و IRS21091STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2101STRPBF IRS21091STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge
Number of Drivers 2 2
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL CMOS or LSTTL, down to 3.3 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
العلبة 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
نوع التركيب Surface Mount —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
مستوى MSL MSL 3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Driven Channels — High-Side and Low-Side, Synchronous
Gate Type — IGBT, N-Channel MOSFET
Output Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 750 ns
Deadtime Control — Programmable
Shutdown Pin — Yes
Packaging — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر