IR2104STRPBF vs IR2011STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2104STRPBF بواسطة Infineon و IR2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2104STRPBF IR2011STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels High-Side and Low-Side (Independent)
عدد المخارج 2 (high-side + low-side) —
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic —
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر