IR2104STRPBF vs IR2011STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2104STRPBF от Infineon и IR2011STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2104STRPBF IR2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR2011STRPBF IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2104STRPBF IR2011STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,59 $0,71
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels High-Side and Low-Side (Independent)
Количество выходов 2 (high-side + low-side) —
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic —
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Диапазон рабочих температур -40 C to +150 C —
Корпус 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену