IR21271SPBF vs IR21271STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21271SPBF بواسطة Infineon و IR21271STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21271SPBF IR21271STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Single-channel high-side gate driver with current sensing —
Technology HVIC and latch-immune CMOS —
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Output Source Current 0.25 A —
Output Sink Current 0.5 A —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family) —
Configuration High-side, low-side capable (floating channel) High-Side or Low-Side
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Input Type Non-inverting —
Negative Transient Tolerance (dV/dt) Tolerant —
Bootstrap Operation Supported (floating channel) —
Integrated Current Sensing Yes —
العلبة 8-SOIC 8-SOIC (3.90 mm)
Lead Finish Lead-free (PbF) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C (industrial) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Number of Channels 1 —
عدد المخارج — 1
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: rise time]
زمن السقوط — [DATA_NEEDED: fall time]
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر