IR21271STRPBF vs IRS2008STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21271STRPBF بواسطة Infineon و IRS2008STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21271STRPBF IRS2008STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side or Low-Side —
عدد المخارج 1 2 (high-side + low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time] —
زمن السقوط [DATA_NEEDED: fall time] —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C (industrial)
العلبة 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRS2008STRPBF
الوظيفة — Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous)
Channel Type — Synchronous (independent inputs)
نوع الخرج — Non-Inverting
Logic Input Compatibility — TTL/CMOS
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V (per datasheet family)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 200 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
VCC UVLO Threshold — Yes (per datasheet family)
VBS UVLO Threshold — Yes (per datasheet family)
Shutdown Pin (SD) — Yes (active logic-level shutdown)
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر