IR2127STRPBF vs IR21271SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2127STRPBF بواسطة Infineon و IR21271SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2127STRPBF IR21271SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side High-side, low-side capable (floating channel)
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting —
عدد المخارج 1 —
زمن الصعود 80 ns (typical) —
زمن السقوط 60 ns (typical) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C (industrial)
العلبة 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Product Type — Single-channel high-side gate driver with current sensing
Technology — HVIC and latch-immune CMOS
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Output Source Current — 0.25 A
Output Sink Current — 0.5 A
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family)
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type — Non-inverting
Negative Transient Tolerance (dV/dt) — Tolerant
Bootstrap Operation — Supported (floating channel)
Integrated Current Sensing — Yes
Lead Finish — Lead-free (PbF)
حالة RoHS — Compliant
Number of Channels — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر