IR2304SPBF vs IR2304STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2304SPBF بواسطة Infineon و IR2304STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2304SPBF IR2304STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels High-side and low-side (half-bridge)
عدد المخارج 2 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
العلبة 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-SOIC (3.90 mm body width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
حالة RoHS Compliant (Pb-free) PbF suffix indicates lead-free / RoHS compliant
الوظيفة — Half-bridge gate driver
Logic Input — Non-inverting, single input
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Offset Voltage (Voffset) — Up to 600 V
Output Source Current (typ.) — 0.29 A
Output Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 220 ns (turn-on and turn-off, matched)
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime — Integrated (matched delay, prevents shoot-through)
dV/dt Immunity — Yes (high-side channel)
Negative VS Transient Tolerance — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tape and Reel (TR)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر