IRF7319TRPBF vs IRF7341GTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7319TRPBF بواسطة Infineon و IRF7341GTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7319TRPBF IRF7341GTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR HEXFET Planar MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
العلبة — 8-SO (SOIC-8)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر