IRF7319TRPBF vs IRF7341GTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7319TRPBF от Infineon и IRF7341GTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF - 55V Dual N-Channel MOSFET 5.1A SO-8 | Infineon

IRF7341GTRPBF - 55V Dual N-Channel MOSFET 5.1A SO-8 | Infineon

IRF7341GTRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7319TRPBF IRF7341GTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR HEXFET Planar MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Корпус — 8-SO (SOIC-8)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену