IRF9952TRPBF vs IRF7342TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF9952TRPBF بواسطة Infineon و IRF7342TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF9952TRPBF IRF7342TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Configuration Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array —
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 30 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) -30 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
N-Channel R_DS(on) max 0.10 ohm (at VGS = 10 V) —
P-Channel R_DS(on) max 0.25 ohm (at VGS = -10 V) —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
العلبة 8-pin SOIC (SO-8), surface mount 8-SOIC (SO-8), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (Tj)
حالة RoHS Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix) —
Tape and Reel Packaging Yes (TRPBF suffix) —
Qualification Consumer market —
Part Number — IRF7342TRPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر