IRFR120NTRLPBF vs IRFR120NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR120NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR120NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A 9.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55C to +175C
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 210 milliohms at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V to 4 V typical
Total Gate Charge (Qg) typical — 16.7 nC
Gate-to-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر