IRLB4132PBF vs IRFB3306PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLB4132PBF بواسطة Infineon و IRFB3306PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLB4132PBF IRFB3306PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة / الحالة TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
FET Type — N-Channel
Technology — IR HEXFET (MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 120 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ — 26 nC (nominal)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 230 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
العلبة — TO-220AB (through-hole)
RoHS / Lead-Free (PbF) — Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes
Body Diode — Intrinsic (avalanche-rated)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر