IRLH5030TRPBF vs BSC0502NSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLH5030TRPBF بواسطة Infineon و BSC0502NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLH5030TRPBF | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLH5030TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC | — |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (capable of 4.5 V) | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 156 W | — |
| Thermal Resistance to PCB (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| العلبة | PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |
| Profile Height | ≤ 0.9 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Rg Tested | 100% | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) | — |
| Industry-Standard Pinout | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| حالة RoHS | — | Compliant |