IRLL024ZTRPBF vs IRLB4132PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLL024ZTRPBF بواسطة Infineon و IRLB4132PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLL024ZTRPBF IRLB4132PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) —
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) —
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
العلبة SOT-223 (TO-261-4) —
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
مستوى MSL 1 (unlimited floor life) —
حالة RoHS Compliant —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر