IRLR2705TRLPBF vs IRLR3410TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR2705TRLPBF بواسطة Infineon و IRLR3410TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLR2705TRLPBF | IRLR3410TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET (HexFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 28 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 68 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55C to +175C (junction) |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 105 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | Logic-level (drive ~4.5V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22.7 nC |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Drain Tab Connection | — | Tab electrically tied to Drain |
| Polarity | — | N-Channel enhancement mode |