IRLR2705TRPBF vs IRFR1205TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR2705TRPBF بواسطة Infineon و IRFR1205TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLR2705TRPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| RDS(on) Max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-Level (compatible with 4V drive) | 2 V min, 4 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 43.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 68 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | -55C to +175C |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET generation 5) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, RoHS compliant) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| حالة RoHS | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |