IRLR3410TRPBF vs IRFZ48NSTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR3410TRPBF بواسطة Infineon و IRFZ48NSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLR3410TRPBF | IRFZ48NSTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel Power MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 105 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | Logic-level (drive ~4.5V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | 54 nC |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | — |
| Drain Tab Connection | Tab electrically tied to Drain | — |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 64 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 14 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | — | 3.8 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) |
| Lead Finish | — | Lead-free (PBF) matte tin |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Technology Family | — | HEXFET advanced process technology |