IRS2004STRPBF vs IRS2101STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2004STRPBF بواسطة Infineon و IRS2101STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2004STRPBF IRS2101STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية Half-Bridge Gate Driver —
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) Yes (VCC and VBS)
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
العلبة SOIC-8 8-SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
مستوى MSL MSL2 —
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers — 2
عدد المخارج — 2-OUT
تكوين الخرج — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر