IRS2008STRPBF vs IRS2011STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2008STRPBF بواسطة Infineon و IRS2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2008STRPBF IRS2011STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRS2008STRPBF —
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous) —
Channel Type Synchronous (independent inputs) —
عدد المخارج 2 (high-side + low-side) 2
نوع الخرج Non-Inverting —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V (per datasheet family) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 200 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
VCC UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
VBS UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
Shutdown Pin (SD) Yes (active logic-level shutdown) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (industrial) -40 C to +125 C
العلبة 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width 8-SOIC (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Configuration — High-Side and Low-Side, Independent Channels
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر