IRS2008STRPBF vs IRS2011STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2008STRPBF מאת Infineon ו IRS2011STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2008STRPBF IRS2011STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRS2008STRPBF —
פונקציה Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous) —
Channel Type Synchronous (independent inputs) —
מספר יציאות 2 (high-side + low-side) 2
סוג פלט Non-Inverting —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V (per datasheet family) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 200 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
VCC UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
VBS UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
Shutdown Pin (SD) Yes (active logic-level shutdown) —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C (industrial) -40 C to +125 C
מארז 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width 8-SOIC (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Configuration — High-Side and Low-Side, Independent Channels
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר