IRS2011STRPBF vs IRS2008STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2011STRPBF بواسطة Infineon و IRS2008STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2011STRPBF IRS2008STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
عدد المخارج 2 2 (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL TTL/CMOS
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
العلبة 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C (industrial)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRS2008STRPBF
Driven Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous)
Channel Type — Synchronous (independent inputs)
نوع الخرج — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V (per datasheet family)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 200 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
VCC UVLO Threshold — Yes (per datasheet family)
VBS UVLO Threshold — Yes (per datasheet family)
Shutdown Pin (SD) — Yes (active logic-level shutdown)
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر