IRS21091STRPBF vs IRS2101STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS21091STRPBF بواسطة Infineon و IRS2101STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS21091STRPBF IRS2101STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V 3.3 V / 5 V / 15 V
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
العلبة 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (SOIC-8)
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TRPBF)
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
عدد المخارج — 2-OUT
تكوين الخرج — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
نوع التركيب — Surface Mount
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر