IRS21091STRPBF vs IRS2101STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS21091STRPBF von Infineon und IRS2101STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS21091STRPBF IRS2101STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $1,18
Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V 3.3 V / 5 V / 15 V
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (SOIC-8)
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TRPBF)
RoHS-Status Compliant Compliant (PBF suffix)
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Anzahl der Ausgänge — 2-OUT
Ausgangskonfiguration — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Montageart — Surface Mount
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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