IRS2110SPBF vs 1ED44176N01FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2110SPBF بواسطة Infineon و 1ED44176N01FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2110SPBF 1ED44176N01FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns 50 ns
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 16-SOIC (SOIC-16 W) 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
مستوى MSL 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
الوظيفة — Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN
Configuration — Non-inverting, single-channel, low-side
Number of Channels — 1
Input Compatibility — CMOS, TTL
VCC Supply Voltage Range — 4.5 V to 25 V
Peak Source Current (typ.) — 0.8 A
Peak Sink Current (typ.) — 1.75 A
OCP Threshold Tolerance — ±5%
OCP Reference — 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing)
Enable Input — Yes (EN, active-high)
Fault Output — Yes (FAULT, open-drain)
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر