IRS2110SPBF vs 2ED21084S06JXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2110SPBF بواسطة Infineon و 2ED21084S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2110SPBF 2ED21084S06JXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 16-SOIC (SOIC-16 W) PG-DSO-14-49 (14-pin wide-body SOIC)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
مستوى MSL 3 3
الوظيفة — Half-bridge gate driver
البنية الطوبولوجية — Half-bridge (high-side + low-side)
High-side Offset Voltage (max) — 650 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Propagation Delay Rise (typical) — 100 ns
Propagation Delay Fall (typical) — 35 ns
Input Logic — Non-inverting (HIN/LIN)
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC UVLO threshold]
UVLO (VBS) — [DATA_NEEDED: VBS UVLO threshold]
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر