IRS2110SPBF vs 2ED21084S06JXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRS2110SPBF द्वारा Infineon और 2ED21084S06JXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRS2110SPBF IRS2110SPBF - 500V High/Low Side 2.5A Gate Driver SOIC-16

IRS2110SPBF - 500V High/Low Side 2.5A Gate Driver SOIC-16

IRS2110SPBF ✓ सक्रिय
Infineon
2ED21084S06JXUMA1 2ED21084S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21084S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21084S06JXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRS2110SPBF 2ED21084S06JXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +125 C —
पैकेज 16-SOIC (SOIC-16 W) PG-DSO-14-49 (14-pin wide-body SOIC)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free) Compliant
MSL स्तर 3 3
फ़ंक्शन — Half-bridge gate driver
टोपोलॉजी — Half-bridge (high-side + low-side)
High-side Offset Voltage (max) — 650 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Propagation Delay Rise (typical) — 100 ns
Propagation Delay Fall (typical) — 35 ns
Input Logic — Non-inverting (HIN/LIN)
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC UVLO threshold]
UVLO (VBS) — [DATA_NEEDED: VBS UVLO threshold]
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C

डेटाशीट और संसाधन

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