IRS21867STRPBF vs IR2104STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS21867STRPBF بواسطة Infineon و IR2104STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS21867STRPBF IR2104STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Offset Voltage (High-Side, max) 600 V —
Output Current (Source/Sink, typical) 4 A / 4 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply VBS up to VCC + 600 V (floating) —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / TTL 3.3 V, 5 V, 15 V logic
Rise Time (typ, 1 nF load) 22 ns —
Fall Time (typ, 1 nF load) 18 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 170 ns 150 ns
Turn-Off Propagation Delay (typ) 170 ns 130 ns
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
Operating Temperature Range (TJ) -40C to +150C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Lead Free —
Channel Count 2 (1 high-side + 1 low-side) —
Input Type Non-Inverting (HIN, LIN) —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-side and low-side referenced output channels
عدد المخارج — 2 (high-side + low-side)
Offset Voltage (High-Side, Max) — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ) — 0.21 A
Output Sink Current (typ) — 0.36 A
Rise Time (typ) — 100 ns
Fall Time (typ) — 50 ns
Propagation Delay (typ) — 680 ns
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) — 150 uA
Shutdown Pin — Yes (active-low shutdown input)
Cross-Conduction Prevention — Yes (matched propagation delay)
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر